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新品發(fā)布!瑞典Ionautics HiPSTER20脈沖發(fā)生器成為工業(yè)與研發(fā)的理想之選,實現(xiàn)高效薄膜沉積

來源:今日熱點網(wǎng) | 2023-12-14 18:37:24 |

在當今科技領(lǐng)域,等離子體工藝和薄膜沉積技術(shù)扮演著越來越重要的角色。而在這個領(lǐng)域,瑞典Ionautics的HiPSTER HiPIMS裝置無疑是行業(yè)的標桿,Ionautics成立于2010年,一直致力于電離物理氣相沉積領(lǐng)域的創(chuàng)新與研究。近期,Ionautics發(fā)布了新產(chǎn)品HiPSTER 20脈沖發(fā)生器,這款專為工業(yè)用途和研發(fā)部門打造的20 kW高功率HiPIMS解決方案,體現(xiàn)了Ionautics在等離子體工藝和薄膜沉積技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

HiPIMS技術(shù)

HiPIMS是一種先進的薄膜沉積技術(shù),通過使用標準磁控管的脈沖等離子體放電來電離材料通量。其獨特的優(yōu)點在于,離子可以通過電場和磁場的共同作用進行引導(dǎo)和操縱,從而在薄膜沉積過程中獲得卓越的性能。與傳統(tǒng)的薄膜沉積技術(shù)相比,HiPIMS能夠更精確地控制薄膜的厚度、均勻性和附著性等關(guān)鍵參數(shù),從而顯著提高產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。

Ionautics的HiPSTER裝置在HiPIMS技術(shù)的基礎(chǔ)上,進一步引入了創(chuàng)新的快速開關(guān)技術(shù)和擴展的HiPIMS脈沖控制技術(shù)。通過精確的脈沖時序和幅度控制,實現(xiàn)了對等離子體工藝的高效調(diào)控。這種控制技術(shù)使得研究人員能夠更好地掌握等離子體工藝的各個參數(shù),從而更好地優(yōu)化工藝條件,提高產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性。

關(guān)于HiPSTER 20脈沖發(fā)生器

Ionautics的新產(chǎn)品HiPSTER 20脈沖發(fā)生器針對工業(yè)用途和研發(fā)部門的需求,專門設(shè)計成一款20 kW的高功率HiPIMS解決方案。它充分利用了HiPIMS技術(shù)的優(yōu)勢,HiPSTER 20脈沖發(fā)生器磁控管尺寸可達 1700 cm2,能夠在處理大面積工藝時展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢,并提供卓越的性能和效率。

HiPSTER 20脈沖發(fā)生器特點:

恒定電壓,沒有不必要的震蕩

可通過主從配置進行控制——多個電源。

新的開關(guān)技術(shù)允許HiPIMS脈沖頻率高達 10 kHz

添加 lonautics 的疊加技術(shù)HIPIMS + DC

可按要求實施反應(yīng)式 HiPIMS 過程控制

平面和可旋轉(zhuǎn)磁控管上進行工業(yè)應(yīng)用測試

放電脈沖電壓和電流的實時信息

HiPSTER 20脈沖發(fā)生器應(yīng)用

 

 

硬質(zhì)涂層

更光滑、更致密的元素 以及反應(yīng)沉積復(fù)合涂層、可提高硬度、減少 腐蝕,減少摩擦

光學(xué)涂層

提高光學(xué)性能,通過光滑的界面和致密的結(jié)構(gòu)提高光學(xué)性能

阻隔涂層

通過增加涂層密度

電氣涂層

提高導(dǎo)電性,從而減少涂層厚度,降低熱負荷。對于絕緣體,還可提高隔離度隔熱性能。

3-D 涂層

在形狀復(fù)雜的形狀的基材上

HiPSTER 20脈沖發(fā)生器輸出規(guī)格

輸出平均功率:≤20千瓦

輸出峰值電壓: ≤1000V

輸出峰值電流: ≤2000A

調(diào)節(jié)模式:電壓、電流、功率、脈沖電流、脈沖充電

脈沖頻率: 50 至 10000 赫茲

脈沖持續(xù)時間:3.5us至1000us

電弧控制-反應(yīng)時間: 2us

觸發(fā)輸入/輸出: TTL兼容

HiPSTER 20脈沖發(fā)生器輸入規(guī)格

交流輸入電壓: 1相+ N,100-240 VAC,50/60 Hz

230V 時的輸入電流: 0.7安直流充電輸入: 最大1000 V,浮動

HiPSTER 20脈沖發(fā)生器環(huán)境指標

工作溫度: +5°C 至 +40°C

儲存溫度: -25°C 至 +55°C

相對濕度: 最大 85%,非冷凝

氣壓:  80 kPa 至 106 kPa

冷卻方式: 風冷

污染等級:  2級。冷卻空氣必須正常,不含腐蝕性蒸氣并且導(dǎo)電顆粒。

規(guī)格: CE 認證

瑞典Ionautics HiPSTER HiPIMS裝置以其創(chuàng)新的科技和卓越的性能引領(lǐng)了等離子體工藝的新篇章。HiPSTER 20脈沖發(fā)生器以其高效、可靠、大尺寸的特點,成為適用于工業(yè)用途和研發(fā)部門20 kW HiPIMS解決方案的理想選擇無論是在科研領(lǐng)域還是在工業(yè)生產(chǎn)中,Ionautics以領(lǐng)先的電離物理氣相沉積技術(shù),為您提供先進的工具和專業(yè)知識。

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